Arséniure d'indium

Arséniure d'indium
Général
Nom IUPAC	Arséniure d'indium
No CAS	1303-11-3
Apparence	Solide gris
Propriétés chimiques
Formule brute	AsIn  [Isomères]
Masse molaire	189, 74 ± 0, 003 g·mol⁻¹ As 39, 49 %, In 60, 51 %,
Propriétés physiques
T° fusion	936 à 942 °C
Solubilité	insoluble dans l'eau
Masse volumique	5.68
Propriétés électroniques
Bande interdite	0, 4 eV
Précautions
Directive 67/548/EEC
T N
Phrases R : 23/25, 50/53,
Phrases S : 1/2, 20/21, 28, 45, 60, 61,
Unités du SI & CNTP, sauf indication contraire.

L'arséniure d'indium, InAs, est un semi-conducteur composite binaire de type III-V, composé d'arsenic et d'indium.

Il possède des propriétés proches de celles de l'arséniure de gallium (GaAs) en microélectronique.

Il est toxique et dangereux pour l'environnement.

Cristallographie

Comme l'arséniure de gallium, l'arséniure d'indium a une structure cristallographique de type «blende».

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