Arséniure d'indium

L'arséniure d'indium, InAs, est un semi-conducteur composite binaire de type III-V, composé d'arsenic et d'indium.



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Composé de l'arsenic - Composé de l'indium - Produit chimique toxique - Produit chimique dangereux pour l'environnement - Matériau semi-conducteur - Semi-conducteur - Micro-électronique - Électronique

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Arséniure d'indium
Général
Nom IUPAC Arséniure d'indium
No CAS 1303-11-3
Apparence Solide gris
Propriétés chimiques
Formule brute AsIn  [Isomères]
Masse molaire 189, 74 ± 0, 003 g·mol⁻¹
As 39, 49 %, In 60, 51 %,
Propriétés physiques
T° fusion 936 à 942 °C
Solubilité insoluble dans l'eau
Masse volumique 5.68
Propriétés électroniques
Bande interdite 0, 4 eV
Précautions
Directive 67/548/EEC
Toxique
T
Dangereux pour l`environnement
N
Phrases R : 23/25, 50/53,
Phrases S : 1/2, 20/21, 28, 45, 60, 61,
Unités du SI & CNTP, sauf indication contraire.

L'arséniure d'indium, InAs, est un semi-conducteur composite binaire de type III-V, composé d'arsenic et d'indium.

Il possède des propriétés proches de celles de l'arséniure de gallium (GaAs) en microélectronique.

Il est toxique et dangereux pour l'environnement.

Cristallographie

Comme l'arséniure de gallium, l'arséniure d'indium a une structure cristallographique de type «blende».

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