Buffered oxide etch

Le buffered oxide etch est une solution gravante utilisée en micro-fabrication. Cette solution est principalement utilisée pour graver des couches minces de dioxyde de silicium ou de nitrure de silicium.

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Micro-électronique - Électronique - Composé du fluor

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Le buffered oxide etch (BŒ - oxyde gravant tamponné) est une solution gravante utilisée en micro-fabrication. Cette solution est principalement utilisée pour graver des couches minces de dioxyde de silicium (SiO₂) ou de nitrure de silicium (Si₃N₄).

Elle se compose d'un tampon, comme du fluorure d'ammonium (NH₄F), et d'acide fluorhydrique (HF).

Utilité

Dans le cas des couches minces, l'acide fluorhydrique concentré (généralement 49% d'eau) réagit énormément trop vite avec le dioxyde de silicium pour avoir un bon contrôle sur la réaction. L'utilisation du BŒ sert à rendre l'acide fluorhydrique légèrement moins réactif, et par conséquent d'avoir un meilleur contrôle sur la réaction^[1].

Caractéristiques

On trouve le plus souvent le BŒ dans un ratio 6 :1 entre le fluorure d'ammonium et l'acide flourhydrique. Ce type de solution est capable de graver une couche d'oxyde développé thermiquement avec un taux de 2nm par seconde, à 25 °C.

Notes et références

↑ (en) S. Wolf, Silicon Processing for the VLSI Era : Volume 1 - Process Technology, 1986 (ISBN 0-961672-3-7) , p. 532-533

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