Complementary metal oxide semi-conductor

Le terme CMOS sert à désigner une technologie de fabrication de composants électroniques et, par extension, la totalité des composants fabriqués selon cette technologie.



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Page(s) en rapport avec ce sujet :

  • Complementary metal – oxide – semiconductor (CMOS) (pronounced /ˈsiːmɒs/) is a... CMOS circuits are constructed so that all PMOS transistors must have either... (source : en.wikipedia)
  • Définitions de complementary metal oxide semi - conductor, synonymes, antonymes, ... De la même manière, plus un circuit intégré CMOS comporte de transistors, ... (source : dictionnaire.sensagent)
  • The term'Complementary Metal - Oxide - Semiconductor', or simply'CMOS', ... The input to a CMOS circuit is always to the gate of the input MOS transistor, ... (source : siliconfareast)

Le terme CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) sert à désigner une technologie de fabrication de composants électroniques et , par extension, la totalité des composants fabriqués selon cette technologie. À l'instar de la famille TTL, ces composants sont en majeure partie des portes logiques (NAND, NOR, etc. ).

Dans ces circuits, un étage de sortie se compose d'un ensemble de transistors à effet de champ N et P (MOSFET) positionnés de manière symétrique et réalisant chacun la même fonction. Du fait de leur caractéristique de fonctionnement inversée, un transistor est passant tandis que l'autre est bloquant[1] (ils sont par conséquent complémentaires, d'où l'appellation complementary).

Technologie de fabrication de composant logique

schéma d'un inverseur CMOS

Pour expliquer le fonctionnement, on peut prendre par exemple le circuit le plus simple existant, l'inverseur CMOS (fonction NON), composé de deux transistors, un N et un P. La table de vérité de l'inverseur est la suivante :

Inverseur
Entrée Sortie
0 1
1 0

Si on applique à l'entrée un niveau haut, le transistor N est passant et le P est bloqué. On place ainsi la sortie au potentiel Vss, soit à l'état bas. Inversement, lorsque on met l'entrée à l'état bas, le transistor P est passant et le N est bloqué. La sortie est par conséquent à l'état haut. On a par conséquent bien réalisé une fonction inversion.

En fonctionnement normal, il n'y aucun chemin entre Vdd (l'alimentation positive) et Vss (la masse)  ; la consommation est par conséquent nulle en régime établi. Cependant, durant les transitions entre états (passage du niveau haut au niveau bas et vice versa), les deux transistors sont simultanément conducteurs pendant un court laps de temps, ce qui entraîne une consommation d'énergie. C'est pour cela que plus la fréquence de l'horloge d'un circuit intégré CMOS est élevée, plus ce circuit consomme d'énergie. De la même manière, à une fréquence donnée, plus un circuit intégré CMOS comporte de transistors, plus il consomme d'énergie.

On réalise de la même manière l'ensemble des portes : ET avec deux P en parallèle et deux N en série suivis d'un inverseur, OU avec deux P en série et deux N en parallèle suivis d'un inverseur, etc.

Circuit spécialisé

Par extension, le terme CMOS est aussi utilisé pour désigner un circuit spécialisé présent dans les micro-ordinateurs. Ce dernier contient une petite mémoire ainsi qu'une horloge maintenues en fonctionnement permanent grâce à une pile ou à un accumulateur (rechargé automatiquement quand l'alimentation est en service). La technologie CMOS est ici privilégiée car, grâce à sa consommation extrêmement réduite (de l'ordre de 10 µA), elle sert à longues durées d'interruption de l'alimentation principale. La mémoire contient quelques dizaines d'octets, utilisés pour stocker des informations décrivant la configuration de l'ordinateur (détail des disques durs…), des données nécessaires au fonctionnement de son BIOS et au système d'exploitation, mais aussi l'heure et la date. Ce composant est une cible intéressante pour les virus car il reste allumé même quand l'alimentation est coupée.

Historique

Dès 1930, Julius Edgar Lilienfeld, de l'université de Leipzig, déposait un brevet dans lequel il décrivait un élément assez proche du transistor MOS et qui aurait pu former le premier transistor de l'histoire. Il fallut cependant attendre le début des années 1960 pour voir apparaître les premiers systèmes MOS puis CMOS industriels, dont le développement avait été rendu envisageable par les progrès enregistrés dans le domaine des transistors bipolaires, et surtout la résolution des problèmes d'interface oxyde-semiconducteur[2]. Actuellement, le transistor MOS forme, grâce à sa simplicité de fabrication ainsi qu'à ses dimensions réduites, l'élément essentiel des circuits intégrés numériques[3].

Notes et références

  1. Mc MOS Handbook, Products-Characteristics-Applications, Motorola Inc. Semiconductor Products Division, First Edition, October 1973, chapter 3 by Lubomir Cergel : General CMOS characteristics, p.  3.1-3.11
  2. John Richard Davis, Instabilities in MOS Devices (Electrocomponent Science Monographs) , éd. Gordon & Breach Science Publishers, 1980 (ISBN 0677055900)
  3. Jean-Baptiste Waldner, Nano-informatique et Intelligence Ambiante - Inventer l'Ordinateur du XXIe siècle, éd. Hermes Science, Londres, 2007 (ISBN 2746215160) p.  40-41

Voir aussi

Liens externes

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