Dépôt chimique en phase vapeur

Le dépôt chimique en phase vapeur est une méthode de dépôt de films minces, à partir de précurseurs gazeux.



Catégories :

Cristallogénèse - Physico-chimie des interfaces - Micro-électronique - Électronique - Traitement de surface

Page(s) en rapport avec ce sujet :

  • Les procédés CVD dits "classiques", utilisant directement comme source de chrome les .... Les autres précurseurs cités sont liquides et pourraient être.... dans lequel ledit dépôt chimique en phase vapeur est réalisé par un procédé tel... (source : wipo)
  • dépôt chimique en phase vapeur est effectuée avec des précurseurs... meilleur précurseur pour la formation de films de Ta2O5 par CVD car il présente une... (source : docinsa.insa-lyon)
  • Le dépôt chimique en phase vapeur est une méthode prometteuse pour... Les β- dicétone chelates de Y, Ba, Cu ont été utilisés commme précurseurs pour le ... (source : jphyscol.journaldephysique)

Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l'anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt de films minces, à partir de précurseurs gazeux.

Principe

La CVD est un procédé utilisé pour produire des matériaux solides de haute performance, et de grande pureté. Ce procédé est fréquemment utilisé dans l'industrie du semi-conducteur pour produire des couches minces. Dans un procédé CVD typique, le substrat est exposé à un ou plusieurs précurseurs en phase gazeuse, qui réagissent et/ou se décomposent à la surface du substrat pour générer le dépôt désiré. Souvent, des sous-produits de réactions, eux-mêmes en phase gazeuse, sont produits et évacués par le flux gazeux qui traverse en continu la chambre de réaction.

Les procédés de microfabrication utilisent beaucoup la CVD pour déposer des matériaux sous des formes variées : monocristallins, polycristallins, amorphes, épitaxiés. Ces matériaux incluent le silicium, la silice, le silicium-germanium, les carbures de silicium, du carbone diamant, les fibres, nanofibres, filaments, nanotubes de carbone, le tungsten, des matériaux à haute permittivité électrique, etc.

Variantes du dépôt chimique en phase vapeur

Il existe plusieurs formes de CVD. Ces procédés changent les uns des autres selon le moyen dont les réactions chimiques sont initiées et par les conditions du procédé.

Problèmes liés au dépôt

Occasionnellemen, les fortes températures de dépôt génèrent des contraintes résiduelles importantes au cours de la phase de refroidissement. Ces contraintes dépendent fortement des caractéristiques mécaniques du substrat et de la couche à déposer, et peuvent avoir un impact sur la qualité du film et ses performances en service.

Notes et références

  1. Dépôt chimique en phase vapeur à pression sous-atmosphérique
  2. PECVD
  3. Schropp, R. E. I. ; B. Stannowski, A. M. Brockhoff, P. A. T. T. van Veenendaal and J. K. Rath. "Hot wire CVD of heterogeneous and polycrystalline silicon semiconducting thin films for application in thin film transistors and solar cells" (PDF). Materials Physics and Mechanics : 73–82.  

Recherche sur Amazon (livres) :



Ce texte est issu de l'encyclopédie Wikipedia. Vous pouvez consulter sa version originale dans cette encyclopédie à l'adresse http://fr.wikipedia.org/wiki/D%C3%A9p%C3%B4t_chimique_en_phase_vapeur.
Voir la liste des contributeurs.
La version présentée ici à été extraite depuis cette source le 07/04/2010.
Ce texte est disponible sous les termes de la licence de documentation libre GNU (GFDL).
La liste des définitions proposées en tête de page est une sélection parmi les résultats obtenus à l'aide de la commande "define:" de Google.
Cette page fait partie du projet Wikibis.
Accueil Recherche Aller au contenuDébut page
ContactContact ImprimerImprimer liens d'évitement et raccourcis clavierAccessibilité
Aller au menu