Gravure ionique réactive profonde

La gravure ionique réactive profonde (en anglais Deep Reactive Ion Etching DRIE) est un procédé de gravure ionique réactive fortement anisotrope utilisé en micro-électronique. Il permet de créer des trous et des tranchées profondes dans des wafers avec un rapport largeur/hauteur de 20/1 ou plus. Cette technique a été développée pour les microsystèmes électromécaniques (MEMS) qui nécessitent ce type de fonctionnalités mais est aussi utilisée pour creuser des tranchées pour les condensateurs à haute densité de la DRAM.

Processus cryogénique et Bosch

Il existe deux principales techniques de DRIE à haut taux : cryogénique et Bosch. Les deux procédés permettent de fabriquer des murs idéalement verticaux mais fréquemment les murs sont un peu évasés, par exemple à 88° ou 92° : on parle alors de parois «rétrograde». Il existe un autre mécanisme nommé passivation des parois : des groupes fonctionnels SiO_xF_y, produit à partir d'hexafluorure de soufre et d'oxygène gazeux, condensent sur les parois latérales et les protègent de la gravure. En combinant tous ces procédés, on peut alors réaliser des structures verticales profondes.

Applications

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