Photodiode

Une photodiode est un composant semi-conducteur ayant la capacité de détecter un rayonnement du domaine optique et de le transformer en signal électrique.

Généralités

Comme énormément de diodes en électronique, elle est constituée d'une jonction PN. Cette configuration de base fut perfectionnée par l'introduction d'une zone intrinsèque (I) pour former la photodiode PIN. En absence de polarisation (appelé mode photovoltaïque) elle génère une tension. En polarisation inverse par une alimentation externe (mode photoampérique), elle génère un courant. On repère 3 régions différentes :

une zone de charge d'espace (ZCE) nommée fréquemment zone de déplétion et de diffusion
une région neutre de type N
une région neutre de type P.

Ce composant relève de l'optoélectronique.

Fonctionnement

Lorsque un semi-conducteur est exposé à un flux lumineux, les photons sont absorbés à condition que l'énergie du photon ( $E p h = h ν$ ) soit supérieure à la largeur de la bande interdite (E_g). Ceci correspond à l'énergie indispensable que doit absorber l'électron afin qu'il puisse quitter la bande de valence (où il permet de assurer la cohésion de la structure) vers la bande de conduction, le rendant ainsi mobile et capable de générer un courant électrique. L'existence de la bande interdite entraîne l'existence d'un seuil d'absorption tel que $h ν 0 = E g$ . Lors de l'absorption d'un photon, deux phénomènes peuvent se produire :

La photoémission : c'est la sortie de l'électron hors du matériau photosensible. L'électron ne peut sortir que s'il est excité près de la surface.
La photoconductivité : l'électron est libéré à l'intérieur du matériau. Les électrons ainsi libérés contribuent à la conductivité électrique du matériau.

Quand les photons pénètrent dans le semi-conducteur pourvus d'une énergie suffisante, ils peuvent créer des photoporteurs en excès dans le matériau. On observe alors une augmentation du courant. Deux mécanismes interviennent simultanément :

Il y a création de porteurs minoritaires, c'est-à-dire des électrons dans la région P et des trous dans la région N. Ceux-ci sont susceptibles d'atteindre la ZCE par diffusion et d'être ensuite propulsés vers des zones où ils sont majoritaires. En effet, une fois dans la ZCE, la polarisation étant inverse, on facilite le passage des minoritaires vers leur zone de prédilection. Ces porteurs contribuent ainsi à créer le courant de diffusion.
Il y a génération de paires électron trou dans la ZCE, qui se dissocient sous l'action du champ électrique ; l'électron rejoignant la zone N, le trou la zone P. Ce courant se nomme le courant de transit ou photocourant de génération.

Ces deux contributions s'ajoutent pour créer le photocourant I_ph qui s'additionne au courant inverse de la jonction. L'expression du courant traversant la jonction est alors : $I_d = I_s (eˆ{E_g \over n U_t} - 1) - I_{ph}$

Caractéristiques électriques

Une photodiode peut être représentée par une source de courant I_ph (dépendant de l'éclairement), en parallèle avec la capacité de jonction C_j et une résistance de shunt R_sh d'une valeur élevée (caractérisant la fuite de courant), la totalité étant en série avec une résistance interne R_s :

Résistance de shunt : la résistance de shunt d'une photodiode parfaite est illimitée. En réalité cette résistance est comprise entre 100 kΩ et 1 GΩ selon la qualité de la photodiode. Cette résistance est utilisée pour calculer le courant de fuite (ou bruit) en mode photovoltaïque, c'est-à-dire sans polarisation de la photodiode.
Capacité de jonction : cette capacité est due à la zone de charge ; elle est inversement proportionnelle à la largeur de charge d'espace (W) : $C_j = {\delta_{SC} \over W} A$ . Où A est la surface de coupe de la photodiode. W est proportionnel à la polarisation inverse et la capacité diminue si la polarisation augmente. Cette capacité oscille autour de 100 pF pour les faibles polarisations à quelques dizaines de pF pour les polarisations élevées.
Résistance interne : cette résistance est principalement due à la résistance du substrat ainsi qu'aux résistances de contact. R_s peut fluctuer entre 10 et 500Ω selon la surface de la photodiode.

Autres caractéristiques :

Temps de réponse : il est généralement défini comme le temps indispensable pour atteindre 90% du courant final dans la photodiode. Ce temps dépend de 3 facteurs :
- t_transit : temps de parcours des porteurs dans la zone de charge d'espace.
- t_diffusion : temps de parcours des porteurs dans les régions neutres.
- la constante de temps t_τ : constante de temps du schéma équivalent (de résistance R_S + R_C et de capacité C_j + C_γ) : $t τ = (R S + R C) (C j + C γ)$ . Ainsi la constante de temps est égale à : $\sqrt{{t_{transit}}ˆ2 + {t_{diffusion}}ˆ2 + {t_\tau}ˆ2}$ . Mais chaque temps est complexe à déterminer ; seul le temps global est pris en compte. Généralement le temps de diffusion est plus lent que le temps de transit.
Photosensibilité : elle est définie par $S_{ph} = {\Delta I_{ph} \over \Delta E}$ et détermine les conditions d'utilisation (200nA/Lux pour les photodiodes à germanium (Ge), 10nA/Lux pour les photodiodes à silicium (Si) ). Les photodiodes Ge présentent une photosensibilité plus importante mais leur courant d'obscurité est notable I₀ = 10 uA. Il est par conséquent préférable d'utiliser des photodiodes Si (I₀ = 10 pA) pour la détection des éclairements faibles.
Rendement de capture : c'est le rapport du nombre de charges élémentaires traversant la jonction sur le nombre de photons incidents. Ce rendement dépend de la longueur d'onde du rayonnement et des paramètres de construction du composant. Il va définir le domaine spectral d'utilisation du détecteur.

Optimisation

Pour avoir une meilleure efficacité quantique, la majorité des photoporteurs devront être créés dans la ZCE, où le taux de recombinaison est faible. On y gagne ainsi au niveau du temps de réponse de la photodiode. Pour réaliser cette condition, la photodiode devra avoir une zone frontale aussi mince que envisageable. Cette condition limite cependant la quantité de rayonnement absorbée. Il s'agit par conséquent de faire un compromis entre la quantité de rayonnement absorbée et le temps de réponse de la photodiode : le plus souvent $W \geq {1 \over \alpha}$ . W étant la largeur de la ZCE et α, le cœfficient d'absorption.

Nous venons de voir l'intérêt d'avoir une zone de charge d'espace suffisamment grande pour que le photocourant soit principalement créé dans cette zone et suffisamment mince pour que le temps de transit ne soit pas trop important. On peut cependant augmenter artificiellement en intercalant une région intrinsèque I entre les régions de type N et de type P. Ceci conduit à un autre type de photodiode : les photodiodes PIN.

Si la polarisation inverse de la structure est suffisante, un champ électrique important existe dans toute la zone intrinsèque et les photoporteurs atteignent particulièrement vite leur vitesse limite. On obtient ainsi des photodiodes particulièrement rapides. Qui plus est , le champ électrique dans la région de déplétion (la ZCE) empêche la recombinaison des porteurs, ce qui rend la photodiode particulièrement sensible.

Cas des phototransistors

Symbole du phototransistor.

Un phototransistor est un transistor bipolaire dont la base est sensible au rayonnement lumineux ; la base est alors dite flottante dans la mesure où elle est dépourvue de connexion. Quand la base n'est pas éclairée, le transistor est parcouru par le courant de fuite I_CE0. L'éclairement de la base conduit à un photocourant I_ph qu'on peut nommer courant de commande du transistor. Ce dernier apparaît dans la jonction collecteur-base sous la forme :
$I C = β I p h + I C E 0$ .

Le courant d'éclairement du phototransistor est par conséquent le photocourant de la photodiode collecteur-base multiplié par l'augmentcation β du transistor. Sa réaction photosensible est par conséquent nettement plus élevée que celle d'une photodiode (de 100 à 400 fois plus). Par contre le courant d'obscurité est plus important.

On observe une autre différence entre phototransistor et photodiode : la base du phototransistor est plus épaisse, ce qui entraîne une constante de temps plus importante et , par conséquent une fréquence de coupure plus basse que celle des photodiodes. On peut peut-être augmenter la fréquence de coupure en diminuant la photosensibilité en connectant la base à l'émetteur.

Notes et références

Annexes

Liens externes

Dossier sur les photodiodes sur le site ABC électronique

Dossier sur les capteurs optiques sur le site wikiversité

Recherche sur Amazone (livres) :

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