Procédé de Czochralski

Le procédé de Czochralski est un procédé de croissance de cristaux monocristallins de grande dimension. Ces monocristaux «géants» sont utilisés dans l'industrie électronique, pour les études métallurgiques et pour des applications de pointe.



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Cristallogénèse - Métallurgie - Fabrication de circuits électroniques - Électronique

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  • Un appareil particulièrement adapté à un procédé spécifique est classé dans le ... par fusion de zone par tirage du cristal sur un germe cristallin immergé par... p. ex. méthode de Czochralski sous un fluide protecteur en introduisant dans ... (source : wipo)
  • En outre, le procédé de Czochralski de croissance du silicium ne apporte pas une.... Le taux d'oxygène à l'extrémité germe du cristal (voir figure 5 au... (source : epatras.economie.fgov)

Le procédé de Czochralski (pron. «tchokralski») est un procédé de croissance de cristaux monocristallins de grande dimension (plusieurs centimètres). Ces monocristaux «géants» sont utilisés dans l'industrie électronique (cristaux semi-conducteurs de silicium dopé), pour les études métallurgiques et pour des applications de pointe. On peut aussi faire croître des gemmes artificielles.

La méthode consiste en une solidification dirigée à partir d'un germe monocristallin de petite taille. On part du matériau fondu à une température juste au-dessus du point de fusion, avec un gradient de température contrôlé. Le germe est positionné dans une «navette» suspendue au-dessus du liquide par une tige. Le liquide se solidifie sur le germe en gardant la même organisation cristalline (épitaxie) au fur et à mesure qu'on tire le germe vers le haut tout en le faisant tourner (à vitesse particulièrement lente).

L'opération se passe sous atmosphère neutre (argon ou azote) pour éviter l'oxydation.

Le monocristal peut ensuite être purifié par la méthode de fusion de zone.

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