Recuit thermique rapide

Le procédé de recuit rapide se réfère à un procédé de fabrication qui porte le wafer de silicium à haute température dans un temps particulièrement court, quelques secondes.



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Industrie - Semi-conducteur - Micro-électronique - Électronique

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  • Un tel procédé de fabrication regroupe la totalité des étapes à effectuer pour.... La température et le temps du premier recuit thermique sont choisis pour... Le premier recuit thermique rapide est effectué dans un four de type RTA... (source : freepatentsonline)
  • Plus exactement, l'invention concerne un procédé d'amélioration de ... en combinaison avec un procédé de fabrication de films minces ou de couches de ..... de recuit thermique rapide est suivie d'une oxydation sacrificielle.... Lors de ce recuit préalable, la température peut tre comprise entre 600°C et 1300°C.... (source : wipo)
  • particulièrement, la présente invention concerne un procédé pour produire des ...... A titre d'exemple, après calcination, un recuit thermique rapide est ... (source : epatras.mineco.fgov)

Le procédé de recuit rapide (acronyme RTA en anglais) se réfère à un procédé de fabrication qui porte le wafer de silicium à haute température (jusqu'à 1200°C ou plus) dans un temps particulièrement court, quelques secondes. Les wafers doivent être redescendus en température assez lentement, sinon ils se brisent à cause du choc thermique. De telles montées en température sont obtenues par des lampes à haute intensité ou par chauffage laser. Ces procédés sont utilisés dans une large variété d'applications dans la fabrication de semi-conducteurs incluant l'activation des dopants, l'oxydation thermique, la mise en forme de métaux et le dépôt par voie chimique.

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