Semi-conducteur III-V
Un semi-conducteur III-V est un semi-conducteur composite fabriqué à partir d'un ou plusieurs éléments de la colonne III du tableau périodique des éléments, et d'un ou plusieurs éléments de la colonne V.
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- Intitulé de la thèse : Gravure des semi - conducteurs III-V par plasmas inductifs chlorés... III-V (GaAs et GaN) par des ions Ar faiblement énergétiques.... (source : graduateschool.paristech)
Un semi-conducteur III-V est un semi-conducteur composite fabriqué à partir d'un ou plusieurs éléments de la colonne III du tableau périodique des éléments (bore, aluminium, gallium, ... ), et d'un ou plusieurs éléments de la colonne V (azote, phosphore, arsenic, antimoine, ... ).
Exemples de semi-conducteur III-V :
- Composés binaires :
- Antimoniure d'aluminium (AlSb)
- Arséniure d'aluminium (AlAs)
- Nitrure d'aluminium (AlN)
- Phosphure d'aluminium (AlP)
- Arséniure de bore (BAs)
- Nitrure de bore (BN)
- Phosphure de bore (BP)
- Antimoniure de gallium (GaSb)
- Arséniure de gallium (GaAs)
- Nitrure de gallium (GaN)
- Phosphure de gallium (GaP)
- Antimoniure d'indium (InSb)
- Arséniure d'indium (InAs)
- Nitrure d'indium (InN)
- Phosphure d'indium (InP)
- Composés ternaires
- Arséniure de gallium-aluminium (AlGaAs, AlxGa1-xAs)
- Arséniure de gallium-indium (InGaAs, InxGa1-xAs)
- Phosphure de gallium-indium (InGaP)
- Arséniure d'aluminium-indium (AlInAs)
- Antimoniure d'aluminium-indium (AlInSb)
- Arséniure-nitrure de gallium (GaAsN)
- Arséniure-phosphure de gallium (GaAsP)
- Nitrure de gallium-aluminium (AlGaN)
- Phosphure de gallium-aluminium (AlGaP)
- Nitrure de gallium-indium (InGaN)
- Arséniure-antimoniure d'indium (InAsSb)
- Antimoniure de gallium-indium (InGaSb)
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