Triméthylgallium

Le triméthylgallium, Ga 3, est un composé organométallique à base de gallium. C'est la source organométallique préférée en gallium pour l'épitaxie organométallique en phase vapeur des composés semi-conducteur contenant du gallium, comme l'arséniure de gallium,...



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Composé du gallium - Matériau semi-conducteur - Semi-conducteur - Micro-électronique - Électronique - Composé organométallique

Page(s) en rapport avec ce sujet :

  • Ces tables présentent pour Triméthylgallium (C3H9Ga) les propriétés physiques des phases gazeuse, supercritique ou condensée (enthalpie, ... (source : encyclopedia.airliquide)
  • Trimethylgallium, Ga (CH3) 3, often abbreviated to TMG, is the preferred metalorganic source of gallium for metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE) of... (source : en.wikipedia)
Triméthylgallium
Triméthylgallium
Triméthylgallium
Général
No CAS 1445-79-0
SMILES
InChI
Apparence liquide incolore
Propriétés chimiques
Formule brute C3H9Ga  [Isomères]
Masse molaire 114, 827 ± 0, 004 g·mol⁻¹
C 31, 38 %, H 7, 9 %, Ga 60, 72 %,
Propriétés physiques
T° fusion -15 °C
T° ébullition 55, 7 °C
Solubilité réagit violemment avec l'eau
Unités du SI & CNTP, sauf indication contraire.

Le triméthylgallium (TMG), Ga (CH3) 3, est un composé organométallique à base de gallium. C'est la source organométallique préférée en gallium pour l'épitaxie organométallique en phase vapeur (MOVPE) des composés semi-conducteur contenant du gallium, comme l'arséniure de gallium (GaAs), le nitrure de gallium (GaN), le phosphure de gallium (GaP), l'antimoniure de gallium (GaSb), l'arséniure de gallium-indium (GaInAs), le nitrure de gallium-indium (InGaN), etc.

Le TMG est réputé pour être pyrophorique, c. à . d. qu'il prend feu spontanément au contact de l'air. Même les solutions d'hydrocarbure de TMG, une fois suffisamment saturées, sont connues pour prendre feu spontanément au contact de l'air.

Le TMG est réputé pour réagir violemment avec l'eau et d'autres composés capables d'apporter un ion hydrogène libre actif (c'est-à-dire un proton). Donc, le TMG doit être manipulé avec le soin et l'attention nécessaires, par exemple, entreposé dans un lieu frais et sec entre °C et 25 °C, sous atmosphère inerte[1].

Utilisation

Dans la fabrication de semi-conducteurs, le triméthylgallium est utilisé en épitaxie en phase gazeuse dans le dépôt de couches de GaAs ou de GaN épitaxiées[2].

Notes et références de l'article

  1. Journal of Crystal Growth (2004) ; DOI :doi :10.1016/j. jcrysgro. 2004.09.007
  2. [1], air liquide, consulté le 7 septembre 2009

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La version présentée ici à été extraite depuis cette source le 07/04/2010.
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